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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310782806.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种存储器及其制造方法是由肖德元;蒋懿;司书芳;杨晨;冯道欢;周颖;唐衍哲设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体领域，提供了一种存储器及其制造方法。存储器包括：存储阵列，包括多个垂直晶体管以及多个存储单元；多条位线，位于垂直晶体管远离存储单元的一侧；第一互连结构，位于位线远离存储阵列的一侧；第二互连结构，位于第一互连结构远离位线的一侧；键合界面，位于第一互连结构和第二互连结构之间；外围电路，位于第二互连结构远离第一互连结构的一侧。其中，位线通过第一互连结构、键合界面和第二互连结构与外围电路对应耦接。其中，第一互连结构包括第一互连层，第一互连层包括多个第一焊盘和多条第一引线，多个第一焊盘通过多条第一引线以及多个第一接触插塞与多条位线对应耦接，对于多条第一引线，延伸长度越大，宽度越大。

本发明授权一种存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 存储阵列，包括阵列排布的多个垂直晶体管以及与所述多个垂直晶体管一一对应耦接的多个存储单元，其中，每个所述垂直晶体管的有源区沿第一方向延伸，每个所述垂直晶体管的第一端与一个所述存储单元的第一端耦接； 多条位线，位于所述多个垂直晶体管的远离所述多个存储单元的一侧，沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且分别与所述多个垂直晶体管的第二端对应耦接；第一互连结构，位于所述多条位线的远离所述存储阵列的一侧； 第二互连结构，位于所述第一互连结构的远离所述多条位线的一侧； 键合界面，位于所述第一互连结构和所述第二互连结构之间； 外围电路，位于所述第二互连结构的远离所述第一互连结构的一侧，其中，所述多条位线通过所述第一互连结构、所述键合界面和所述第二互连结构与所述外围电路对应耦接； 其中，所述第一互连结构包括多个互连层，所述多个互连层包括靠近所述多条位线的第一互连层，所述第一互连层包括多个第一焊盘和多条第一引线，所述多个第一焊盘通过所述多条第一引线以及多个第一接触插塞与所述多条位线对应耦接，所述多个第一焊盘的尺寸相同，所述多个第一接触插塞的尺寸相同， 对于所述多条第一引线，延伸长度越大，宽度越大。

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