中微半导体设备(上海)股份有限公司庄宇峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种气相沉积装置及基片处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119020753B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310581853.8，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种气相沉积装置及基片处理方法是由庄宇峰;吕术亮;董维;谢忠帅;李远设计研发完成，并于2023-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气相沉积装置及基片处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种气相沉积装置及基片处理方法。所述气相沉积装置包括：反应腔，用于执行气相沉积工艺；用于承载基片的基座组件，其设置于所述反应腔的下方；与所述基座组件相对设置的气体喷淋头，其位于所述反应腔的上方，所述基座组件与所述气体喷淋头之间形成一充气空间，所述充气空间可在高压状态和低压状态进行切换；所述基座组件的上表面具有承载基片的中心区域与围绕所述中心区域的边缘区域，在所述气相沉积工艺过程中，所述边缘区域与相对的所述气体喷淋头的下表面之间具有可变化的间距值，在所述高压状态的间距值小于在所述低压状态的间距值。本发明能够保证台阶覆盖率并提高处理效率。
本发明授权一种气相沉积装置及基片处理方法在权利要求书中公布了：1.一种气相沉积装置，其特征在于，包括： 反应腔，用于执行气相沉积工艺； 用于承载基片的基座组件，其设置于所述反应腔的下方； 与所述基座组件相对设置的气体喷淋头，其位于所述反应腔的上方，所述气体喷淋头用于向所述反应腔内通入工艺气体或吹扫气体，所述基座组件与所述气体喷淋头之间形成一充气空间，所述充气空间可在高压状态和低压状态进行切换； 所述基座组件的上表面具有承载基片的中心区域与围绕所述中心区域的边缘区域，在所述气相沉积工艺过程中，所述边缘区域与相对的所述气体喷淋头的下表面之间具有可变化的间距值，在所述高压状态的间距值小于在所述低压状态的间距值； 控制器，其被配置为：在所述充气空间在高压状态时通入所述工艺气体，在所述充气空间在低压状态时通入所述吹扫气体。
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