长鑫存储技术有限公司许杞安获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利静电保护结构、可控硅整流器和半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117239685B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210645244.X，技术领域涉及：H02H7/20；该发明授权静电保护结构、可控硅整流器和半导体存储器是由许杞安设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电保护结构、可控硅整流器和半导体存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种静电保护结构、可控硅整流器和半导体存储器，该静电保护结构包括：衬底；形成于衬底中的晶体管，晶体管的第一极连接静电端，晶体管的第二极和晶体管的栅极连接电荷泄放端；电容，电容的第一极与衬底连接，电容的第二极连接静电端。本公开实施例能够快速导通形成在静电保护结构中的寄生BJT，从而将静电放电进行泄放，起到良好的静电保护作用，避免损伤器件。
本发明授权静电保护结构、可控硅整流器和半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种静电保护结构，其特征在于，所述静电保护结构包括： 衬底； 形成于所述衬底中的晶体管，所述晶体管的第一极与静电端连接，所述晶体管的第二极和所述晶体管的栅极均与电荷泄放端连接； 电容，所述电容的第一极与所述衬底连接，所述电容的第二极与所述静电端连接； 所述衬底为P型衬底，所述晶体管包括NMOS管，所述NMOS管的第一极和第二极为分别形成于所述P型衬底中的第一N型掺杂区和第二N型掺杂区； 所述电容包括第一电容，所述第一电容的第一极与所述P型衬底连接，所述第一电容的第二极与所述静电端连接； 所述P型衬底中还形成有P+掺杂区；其中， 所述第二N型掺杂区位于所述第一N型掺杂区和所述P+掺杂区之间； 所述第一电容的第一极通过所述P+掺杂区与所述P型衬底连接。
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