买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117191228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311099538.8，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构是由赵娟;郭威;宋有禹;李奥;丁艳丽;高园园设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构，包括由上到下依次叠置的压力感应结构层、固定支撑层、纵向应力缓冲层和连接板；压力感应结构层包括在表面设置的一组压阻电桥结构单元阵列，每个压阻电桥结构单元下侧设有背腔、周侧设有第一环槽；固定支撑层上设有与每个背腔对应连通的第一通孔；纵向应力缓冲层包括在下表面与压阻电桥结构单元相对应的凸台，每个凸台上设有与每个第一通孔对应连通的第二通孔，该组凸台表面与连接板连接形成点阵接触连接；连接板上设有与每个第二通孔对应连通的第三通孔。本发明实现了外界应力的横、纵向缓冲，并且该结构不显著增加MEMS压力传感器阵列芯片的工艺加工难度，可灵活应用，易于实现。

本发明授权一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构在权利要求书中公布了：1.一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构，其特征在于：包括由上到下依次叠置的压力感应结构层100、固定支撑层200、纵向应力缓冲层300和连接板400； 所述压力感应结构层100包括在其上表面设置的一组压阻电桥结构单元101阵列，在每个压阻电桥结构单元101下侧设有背腔102，每个压阻电桥结构单元101周侧设有第一环槽103，第一环槽103槽深大于压阻电桥结构单元101的厚度； 所述固定支撑层200上设有与每个背腔102对应连通的第一通孔201； 所述纵向应力缓冲层300包括在其下表面阵列设置与压阻电桥结构单元101相对应的凸台301，每个凸台301上设有与每个第一通孔201对应连通的第二通孔310，凸台301表面与连接板400连接形成点阵接触连接； 所述连接板400上设有与每个第二通孔310对应连通的第三通孔401； 所述第二通孔310至少包括一个同轴设置的折叠通孔单元311，折叠通孔单元311为两端开口尺寸小、中部截面尺寸大的孔型结构，且两端开口尺寸至中部最大截面尺寸参数为线性增大； 所述压力感应结构层100上设有多层金属布线104，多层金属布线104与芯片粘片区域105电连接，每个压阻电桥结构单元101通过键合引线107与多层金属布线104互连，芯片粘片区域105连接多通道开关选通芯片106。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华东光电集成器件研究所，其通讯地址为：233030 安徽省蚌埠市龙子湖区汤和路2016号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。