海成帝爱斯株式会社金沅彬获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉海成帝爱斯株式会社申请的专利半导体封装衬底、其制造方法、半导体封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050717B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210228376.2，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权半导体封装衬底、其制造方法、半导体封装及其制造方法是由金沅彬;姜圣日;裵仁燮;尹东陈设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装衬底、其制造方法、半导体封装及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明为了一种易于焊接的半导体封装衬底及其制造方法，提供一种半导体封装衬底，其具备：基底层，其包括导电物质，且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且具有位于所述第一表面的第一凹槽或第一沟槽以及位于所述第二表面的第二凹槽或第二沟槽；第一树脂，其掩埋在位于所述基底层的所述第一表面的所述第一凹槽或第一沟槽中；以及凹槽部，其位于所述基底层的所述第一表面的至少一拐点，且基于所述第一表面的深度为所述基底层的厚度的12或更大。
本发明授权半导体封装衬底、其制造方法、半导体封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装衬底，其具备：基底层，其包括导电物质，且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且具有位于所述第一表面的第一凹槽或第一沟槽以及位于所述第二表面的第二凹槽或第二沟槽； 第一树脂，其掩埋在位于所述基底层的所述第一表面的所述第一凹槽或所述第一沟槽中；以及 凹槽部，其位于所述基底层的所述第一表面的至少一拐点，且基于所述第一表面的深度为所述基底层的厚度的12或更大，其中， 所述第一树脂的至少一部分通过所述凹槽部暴露在外部，且 基于对应于所述凹槽部的所述第一表面的所述基底层的宽度比基于所述第二表面的所述凹槽部的宽度大30或更大。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人海成帝爱斯株式会社，其通讯地址为：韩国庆尙南道昌原市城山区熊南路726；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励