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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体结构及其制备方法、三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111274063.2，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权一种半导体结构及其制备方法、三维存储器是由高建峰;刘卫兵;李俊杰;周娜;项金娟;杨涛;李俊峰;罗军设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制备方法、三维存储器在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构及其制备方法、三维存储器，涉及三维存储器件技术领域技术领域，用于提供一种可以减少光刻次数且台阶侧壁形貌较佳的台阶结构的技术方案。半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上依次形成层叠设置的N个堆叠结构；对所述N个堆叠结构依次进行m次光刻和刻蚀，得到具有N个台阶的目标台阶结构；其中，N大于m，所述N与m满足预设关系。半导体结构，根据上述的半导体结构的制备方法制备。三维存储器，包括上述半导体结构。

本发明授权一种半导体结构及其制备方法、三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括以下步骤： 提供衬底； 在所述衬底上依次形成层叠设置的N个堆叠结构； 对所述N个堆叠结构依次进行m次光刻和刻蚀，得到具有N个台阶的目标台阶结构；其中，N大于m，所述N与m满足预设关系； 所述对所述N个堆叠结构依次进行m次光刻和刻蚀，得到具有N个台阶的目标台阶结构包括： 在所述N个堆叠结构上形成第一光刻图形，以所述第一光刻图形为掩膜，去除所述N个堆叠结构的预设区域的顶部绝缘层，暴露出所述N个堆叠结构的顶部绝缘层下的牺牲层或者金属层，得到第一台阶结构；其中，所述预设区域对应于所述目标台阶结构所在区域； 在所述第一台阶结构上形成第二光刻图形，以所述第二光刻图形为掩膜，按照自下而上的方向，对所述第一台阶结构进行刻蚀，得到第二台阶结构； 在所述第二台阶结构上形成第三光刻图形，以所述第三光刻图形为掩膜，按照自下而上的方向，对所述第二台阶结构进行刻蚀，得到第三台阶结构；其中，所述第三台阶结构中的台阶数为所述第二台阶结构中台阶数的2倍； 在第p台阶结构上形成第p+1光刻图形，以所述第p+1光刻图形为掩膜，按照自下而上的方向，对所述第p台阶结构进行刻蚀，得到第p+1台阶结构；其中，所述第p+1台阶结构中的台阶数为所述第p台阶结构中台阶数的2倍； 直至在第m-1台阶结构上形成第m光刻图形，以所述第m光刻图形为掩膜，按照自下而上的方向，对所述第m-1台阶结构进行刻蚀，得到所述目标台阶结构；其中，所述目标台阶结构中的台阶数为所述第m-1台阶结构中台阶数的2倍； 其中，p+1小于或等于m-1；所述第p+1光刻图形形成在所述第p台阶结构的每个台阶的目标区域上；其中，所述目标区域为所述台阶与上一个台阶相连接的部分区域。

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