捷捷微电(南通)科技有限公司冯新获国家专利权
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龙图腾网获悉捷捷微电(南通)科技有限公司申请的专利一种沟槽型肖特基二极管与电子设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN224205521U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520947774.9,技术领域涉及:H10D8/60;该实用新型一种沟槽型肖特基二极管与电子设备是由冯新;徐雷军设计研发完成,并于2025-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽型肖特基二极管与电子设备在说明书摘要公布了:本申请提供了一种沟槽型肖特基二极管与电子设备,涉及半导体技术领域。该沟槽型肖特基二极管包括N型外延层;位于外延层表层的沟槽与多个P型掺杂区,多个P型掺杂区位于沟槽的两侧;位于沟槽内的屏蔽层与多晶硅场板;位于外延层表面的金属层;其中,金属层与除P型掺杂区外的其余区域形成肖特基接触。本申请提供的沟槽型肖特基二极管与电子设备具有降低了器件反向漏电的优点。
本实用新型一种沟槽型肖特基二极管与电子设备在权利要求书中公布了:1.一种沟槽型肖特基二极管,其特征在于,所述沟槽型肖特基二极管包括: N型外延层; 位于所述外延层表层的沟槽与多个P型掺杂区,多个所述P型掺杂区位于所述沟槽的两侧且间隔设置; 位于所述沟槽内的屏蔽层与多晶硅场板;所述屏蔽层位于所述外延层与所述多晶硅场板之间; 位于所述外延层表面的金属层;其中,所述金属层与除所述P型掺杂区、所述沟槽外的其余区域形成肖特基接触。
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