西安电子科技大学刘晓贤获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种交错型硅基三维螺旋电感及带通、低通滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120051202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510150874.3，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权一种交错型硅基三维螺旋电感及带通、低通滤波器是由刘晓贤;刘诺;朱樟明;张蕾;范晨辉;任之浩设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种交错型硅基三维螺旋电感及带通、低通滤波器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种交错型硅基三维螺旋电感及带通、低通滤波器，交错型硅基三维螺旋电感包括：从上至下依次设置的电感第一金属层、第一二氧化硅介质层、电感硅介质层、第二二氧化硅介质层和电感第二金属层，其中，电感第一金属层上交错排列有若干个电感金属片，电感第二金属层上交错排列有若干个电感金属片，电感第一金属层与电感第二金属层上的电感金属片的数量相同，且电感第一金属层与电感第二金属层上的若干个电感金属片分别通过若干根第一金属导体柱一一对应连接。本发明通过使电感金属片交错型排布，减小了三维螺旋电感的面积，在单层硅基板上实现了更高的电感密度，同时也使得制备工艺更为简单。
本发明授权一种交错型硅基三维螺旋电感及带通、低通滤波器在权利要求书中公布了：1.一种交错型硅基三维螺旋电感，其特征在于，包括：从上至下依次设置的电感第一金属层1、第一二氧化硅介质层2、电感硅介质层3、第二二氧化硅介质层4和电感第二金属层5，其中， 所述电感第一金属层1上交错排列有若干个电感金属片，所述电感第二金属层5上交错排列有若干个电感金属片，所述电感第一金属层1与所述电感第二金属层5上的电感金属片的数量相同，且所述电感第一金属层1与所述电感第二金属层5上的若干个电感金属片分别通过若干根第一金属导体柱6一一对应连接； 所述电感第一金属层1的若干个电感金属片之间相互平行或相互成角度，且相邻的两个电感金属片的两端位于不同的水平线上；所述电感第二金属层5的若干个电感金属片之间相互平行或相互成角度，且相邻的两个电感金属片的两端位于不同的水平线上； 所述电感第一金属层1或所述电感第二金属层5上分别设置有输入端口或输出端口。
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