武汉大学张玉峰获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种磁控溅射技术改性的锆铝促骨电活性薄膜的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119876874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510009881.1，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种磁控溅射技术改性的锆铝促骨电活性薄膜的制备方法及应用是由张玉峰;张蘩予;周承柯设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁控溅射技术改性的锆铝促骨电活性薄膜的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁控溅射技术改性的锆铝促骨电活性薄膜的制备方法及应用，涉及骨电活性薄膜材料技术领域。本方法取PVDF薄膜清洗、吹干；将所述PVDF薄膜固定在所述载玻片上并放入磁控溅射腔室，以磁控溅射的方式将锆单质和铝单质沉积在所述PVDF薄膜上，制备得到所述磁控溅射技术改性的锆铝促骨电活性薄膜；所述磁控溅射技术改性的锆铝促骨电活性薄膜中，锆元素含量为46.15‑46.35wt%，氧元素含量为19.25‑19.45wt%，氟元素含量为19.25‑19.45wt%，铝元素含量为1.77‑1.97wt%。本发明制备的薄膜材料具备优越的生物相容性、抗菌性能和诱导成骨能力，拓展了其在口腔及其他部位的应用场景。
本发明授权一种磁控溅射技术改性的锆铝促骨电活性薄膜的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种磁控溅射技术改性的锆铝促骨电活性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：取PVDF薄膜清洗、吹干；将所述PVDF薄膜固定在载玻片上并放入磁控溅射腔室，以磁控溅射的方式将锆单质和铝单质沉积在所述PVDF薄膜上，制备得到所述锆铝促骨电活性薄膜；所述锆铝促骨电活性薄膜中，锆元素含量为46.15-46.35wt%，氧元素含量为19.25-19.45wt%，氟元素含量为19.25-19.45wt%，铝元素含量为1.77-1.97wt%； 所述磁控溅射的方式为：在惰性气氛下，所述磁控溅射腔室内的气压为0.5-5Pa，溅射距离为4-10cm，维持溅射功率为50-100W，基板温度为室温-300℃，氩气流速为5-80sccm的条件下进行，持续时间为10-20min。
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