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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种高击穿的蜂巢状的准垂直增强型GaN晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411715005.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种高击穿的蜂巢状的准垂直增强型GaN晶体管及制备方法是由胡壮壮;王登贵;孔岑;周建军;张凯;孔月婵;陈堂胜设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高击穿的蜂巢状的准垂直增强型GaN晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高击穿的蜂巢状的准垂直增强型GaN晶体管及制备方法，属于半导体器件技术领域。上述蜂巢状的准垂直增强型GaN晶体管包括外延衬底、低阻衬底、漏极接触电极、低掺杂沟道层、栅场板介质、栅介质、栅金属电极、栅源隔离介质、蜂窝状沟道结构、高掺杂沟道层、隔离钝化层和源极接触电极，所述蜂窝状沟道结构为六边形剖面的柱状立体结构。本发明基于蜂巢状沟道结构的结构设计，不仅能够基于柱状沟道的电荷耗尽结构实现增强型，同时有效实现高压下终端峰值电场的缓解，从而获得高击穿的准垂直增强型GaN晶体管。

本发明授权一种高击穿的蜂巢状的准垂直增强型GaN晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高击穿的蜂巢状的准垂直增强型GaN晶体管，其特征在于，包括外延衬底1、低阻衬底2、漏极接触电极3、低掺杂沟道层4、栅场板介质5、栅介质6、栅金属电极7、栅源隔离介质8、蜂窝状沟道结构9、高掺杂沟道层10、隔离钝化层11和源极接触电极12；其中，所述低阻衬底2设于外延衬底1上，所述漏极接触电极3和低掺杂沟道层4设于低阻衬底2上，漏极接触电极3分布于低掺杂沟道层4的两端，所述蜂窝状沟道结构9设于低掺杂沟道层4上，蜂窝状沟道结构9与低掺杂沟道层4形成的夹角面上由下往上依次为栅场板介质5、栅介质6、栅金属电极7和栅源隔离介质8，栅介质6和栅金属电极7的高度一致，且高于栅场板介质5的高度，栅源隔离介质8的顶部填充隔离钝化层11，且与蜂窝状沟道结构9的顶部为同一水平面，所述高掺杂沟道层10设于蜂窝状沟道结构9上，高掺杂沟道层10和隔离钝化层11的顶部为源极接触电极12；所述蜂窝状沟道结构9为六边形剖面的柱状立体结构；所述的准垂直增强型GaN晶体管的制备方法，包括以下步骤： 1在外延衬底1的上方利用外延生长方法依次制备低阻衬底2、低掺杂沟道层4、蜂窝状沟道结构层和高掺杂沟道层10； 2在所述的高掺杂沟道层10定义掩膜层，随后通过刻蚀方法形成主台面； 3在形成的主台面上进行图形化，生成刻蚀掩膜层，经过刻蚀得到蜂窝状沟道结构9； 4在蜂窝状沟道结构9和低掺杂沟道层4上淀积并刻蚀形成栅场板介质5； 5在栅场板介质5上淀积并通过刻蚀的方式形成栅介质6与栅金属电极7层，形成栅控结构； 6在形成的栅控结构上生长栅源隔离介质8与隔离钝化层11，并通过刻蚀的方式将蜂窝状沟道结构9和高掺杂沟道层10顶部裸露出来； 7在隔离钝化层11与低阻衬底2的上方定义源极接触电极12与漏极接触电极3的掩模，通过蒸发或溅射方式沉积低功函数金属，并通过剥离退火工艺形成源极接触电极12与漏极接触电极3，制得高击穿的蜂巢状的准垂直增强型GaN晶体管。

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