福建省晋华集成电路有限公司陈炫彤获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118248693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410538397.3，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由陈炫彤;蔡建成;周阳;何祥龙设计研发完成，并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决三维存储器的第一贯穿结构、第二贯穿结构电连接可靠性差的技术问题，该半导体结构包括衬底；第一堆叠层，设置于衬底之上；第一贯穿结构，设置在第一堆叠层内，第一贯穿结构包括第一侧壁结构和设置于第一侧壁结构上的第一阻障层；隔离层，设置于第一堆叠层之上；接触垫，设置于隔离层内，接触垫完全覆盖第一贯穿结构；第二侧壁结构，设置于接触垫与隔离层之间；第二阻障层，设置于接触垫的侧壁和底面上；第二贯穿结构，设置于接触垫上并至少部分接触接触垫；其中，接触垫的底部尺寸大于第一贯穿结构的顶部尺寸。本申请提供的半导体结构，用于存储数据。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其中，包括： 衬底； 第一堆叠层，设置于所述衬底之上； 第一贯穿结构，设置在所述第一堆叠层内，所述第一贯穿结构包括第一侧壁结构、设置于所述第一侧壁结构上的第一阻障层和第一导电插塞； 隔离层，设置于所述第一堆叠层之上； 接触垫，设置于所述隔离层内，所述接触垫完全覆盖所述第一贯穿结构，所述接触垫至少部分接触所述第一导电插塞，所述接触垫与所述第一导电插塞为一体结构； 第二侧壁结构，设置于所述接触垫与所述隔离层之间； 第二阻障层，设置于所述接触垫的侧壁和底面上； 第二贯穿结构，设置于所述接触垫上并至少部分接触所述接触垫；其中，所述接触垫的底部尺寸大于所述第一贯穿结构的顶部尺寸。
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