上海逢石科技有限公司董满贵获国家专利权
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龙图腾网获悉上海逢石科技有限公司申请的专利一种处理多晶硅和单晶硅废料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118026182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410258306.0，技术领域涉及：C01B33/037；该发明授权一种处理多晶硅和单晶硅废料的方法是由董满贵;赖佳兴;宁国栋设计研发完成，并于2024-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种处理多晶硅和单晶硅废料的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种处理多晶硅和单晶硅废料的方法，属于废弃物料的回收再利用领域。本发明提供一种处理多晶硅和单晶硅废料的方法，将单晶硅和多晶硅切割废料浆真空过滤后与压滤后的电解锰阳极泥TMn40‑50％混合后预热脱水，再进一步加热，得到加热后的物料；将所述加热后的物料置于还原气氛中进行还原焙烧，再加入1.5％‑2％的还原剂，通过电极加热到熔化状态，加热后得到的渣为高锰渣，将加热后排出的硅水进行铸锭，得到粗硅。本发明在有效地回收多晶硅和单晶硅废料的同时，还可将电解锰阳极泥进行处理，达到了两种废物的综合利用；本发明方法能够有效地解决解决长期以来的切割废料和电解锰阳极泥的污染，提高矿物资源的利用率。
本发明授权一种处理多晶硅和单晶硅废料的方法在权利要求书中公布了：1.一种处理多晶硅和单晶硅废料的方法，其特征在于：按以下步骤进行： 1将单晶硅和多晶硅切割废料浆真空过滤后与压滤后的电解锰阳极泥TMn40%-50%混合，得到混合原料；所述混合原料含水7%-10%，所述混合原料中单晶硅和多晶硅切割废料浆与电解锰阳极泥比例为1:1； 2将混合原料预热脱水后，进一步加热，得到加热后的物料；所述的预热温度为300-350℃，加热温度为850-950℃； 3将所述加热后的物料置于还原气氛中，在700℃-780℃温度下进行还原焙烧，焙烧时间1-1.5小时，得到还原后物料； 4将所述还原后物料中加入1.5%-2%的还原剂，再通过电极加热到熔化状态，熔池温度为1700℃-1800℃；加热后得到的渣为高锰渣，将加热后排出的硅水进行铸锭，得到粗硅。
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