中国科学技术大学洪勋获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种非晶氧化镓纳米片、UV-Vis-NIR宽谱光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117645314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311361533.8，技术领域涉及：C01G15/00；该发明授权一种非晶氧化镓纳米片、UV-Vis-NIR宽谱光电探测器及制备方法是由洪勋;于俊玲;吴耕;杨晴设计研发完成，并于2023-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非晶氧化镓纳米片、UV-Vis-NIR宽谱光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种非晶氧化镓纳米片及其制备方法和UV‑Vis‑NIR宽谱光电探测器，包括以下步骤：将乙酰丙酮镓与KNO3粉末混合，煅烧，洗涤，得到非晶氧化镓纳米片。该方法制备的非晶氧化镓纳米片为大小约几个微米，厚度约10‑40nm的纳米片。该非晶氧化镓纳米片为具有低占比四面体中心Ga的非晶纳米片，该非晶氧化镓纳米片具有宽谱吸收和自旋极化的性能优点。本发明将上述非晶氧化镓纳米片与导电硅片和石墨烯组装成具有垂直结构光电探测器，形成了由肖特基结和p‑n结串联组成的一对背对背整流结，使其具有较低的暗电流。基于该非晶氧化镓的具有垂直结构的光电探测器表现出优异的UV‑Vis‑NIR宽谱光电探测性能。
本发明授权一种非晶氧化镓纳米片、UV-Vis-NIR宽谱光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非晶氧化镓纳米片的制备方法，包括以下步骤： 将乙酰丙酮镓与KNO3粉末混合，煅烧，洗涤，得到非晶氧化镓纳米片； 所述非晶氧化镓纳米片的四面体中心Ga占比比晶体β-Ga2O3低； 所述非晶氧化镓纳米片的带隙小于晶体β-Ga2O3的带隙，并且具有增加的隙态； 所述非晶氧化镓纳米片具有拓宽的光吸收范围254~1064nm。
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