中国科学院电工研究所邹琪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利一种Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117440744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311317050.8，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜及其制备方法是由邹琪;丁发柱;古宏伟;商红静;张琳设计研发完成，并于2023-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Sb7TeTe掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜及其制备方法，涉及热电薄膜技术领域。本发明采用射频溅射在聚酰亚胺衬底上实现了Sb7TeTe掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜的制备，本发明调整磁控溅射过程的衬底温度和溅射功率，制得薄膜有很高的结晶性且有效掺杂第二相指Te与Sb7Te，界面散射效应明显，电导率有大幅提高，制备出了热电性能优异的碲化铋基薄膜。本发明以柔性聚酰亚胺为衬底，制备的Sb7TeTe掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜具有良好的柔性，可以更好的应用于可穿戴器件。
本发明授权一种Sb7Te/Te掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Sb7TeTe掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜的制备方法，包括以下步骤： 利用射频磁控溅射，在柔性聚酰亚胺衬底表面依次第一溅射Bi0.5Sb1.5Te3+x合金靶、第二溅射Sb金属靶和第三溅射Bi0.5Sb1.5Te3+x合金靶，得到Sb7TeTe掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电薄膜； 所述射频磁控溅射过程中柔性聚酰亚胺衬底的温度为300～450℃，所述第一溅射和第三溅射的功率独立地为40～80W，所述第二溅射的功率为30～40W；所述Bi0.5Sb1.5Te3+x合金靶中0.1≤x≤0.3。
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