广西电网有限责任公司电力科学研究院周柯获国家专利权
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龙图腾网获悉广西电网有限责任公司电力科学研究院申请的专利一种具有垂直磁各向异性的高矫顽力硬磁氧化物半导体薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117265483B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310942385.2，技术领域涉及：C23C14/28；该发明授权一种具有垂直磁各向异性的高矫顽力硬磁氧化物半导体薄膜及其制备方法是由周柯;金庆忍;卢柏桦;王晓明;莫枝阅;秦丽文设计研发完成，并于2023-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有垂直磁各向异性的高矫顽力硬磁氧化物半导体薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有垂直磁各向异性的高矫顽力硬磁氧化物半导体薄膜及其制备方法，本发明采用多靶交替制备梯度薄膜的工艺，使用NiFeO4和NiCo2O4靶材交替溅射制备出NiCo2‑xFexO4‑NiCo2O4梯度薄膜。实验结果表明，所得薄膜具有高达1T的矫顽力和良好的导电性能，反常霍尔电阻率达到52.5μΩ·cm。这种制备方法具有简单、成本较低的优势，为磁存储器件的研发提供了新的可能性。该方法对于实现高密度、高速度和低功耗的磁存储器件具有重要的应用潜力，有助于推动磁存储技术的发展和应用。
本发明授权一种具有垂直磁各向异性的高矫顽力硬磁氧化物半导体薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有垂直磁各向异性的高矫顽力硬磁氧化物半导体薄膜，其特征在于：包括， 衬底MgAl2O4、种子层NiCo2O4以及薄膜梯度层NiCo2-xFe； 所述薄膜梯度层NiCo2-xFe的制备方法，包括，通过标准陶瓷烧结工艺制备NiFe和NiCo的靶材； 通过脉冲激光沉积或磁控溅射的方法，在MgAl001单晶衬底上交替采用NiCoNiFe靶材沉积薄膜，通过脉冲溅射时间来控制薄膜的厚度； 薄膜沉积完毕后，原位退火30~60min，使其成分更均匀，之后再降温冷却； 其中，采用NiCo靶材进行薄膜层的沉积，一定厚度后切换为NiFe靶材，根据厚度检测或计算的结果，之后切换为NiCo靶材，控制薄膜中Co与Fe的成分变化，Fe的掺杂量逐步从0过渡至xmax，xmax取值范围为0.5~1； 其中，薄膜的晶体取向为001，并以MgAl001单晶为衬底。
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