柯尼卡美能达株式会社梶田大士获国家专利权
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龙图腾网获悉柯尼卡美能达株式会社申请的专利喷嘴板的制造方法、喷嘴板及流体喷头获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117136139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180096592.X，技术领域涉及：B41J2/16；该发明授权喷嘴板的制造方法、喷嘴板及流体喷头是由梶田大士;鲛岛幸一设计研发完成，并于2021-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本喷嘴板的制造方法、喷嘴板及流体喷头在说明书摘要公布了：经过下述工序1～工序5，制造在喷嘴孔至少具有喷嘴锥部12和直线连通路13的喷嘴板。工序1S－1：准备表面的晶向为100面的单晶硅基板1的工序，工序2S－2：在上述单晶硅基板的表面，同样地形成掩模层2的工序，工序3S－3：在上述掩模层形成开口图案3的工序，工序4S－4：通过对位于上述开口图案下的单晶硅基板从表面利用干式蚀刻进行贯通加工而形成贯通孔4的工序，工序5S－5：通过对上述单晶硅基板的各向异性湿式蚀刻放大上述贯通孔，从而形成喷嘴锥部和与该喷嘴锥部连续的直线连通路的工序。
本发明授权喷嘴板的制造方法、喷嘴板及流体喷头在权利要求书中公布了：1.一种喷嘴板的制造方法，是流体喷头的喷嘴板的制造方法，通过依次经由下述的工序1、工序2、工序3、工序6、工序7、工序4、工序5的各工序来制造在喷嘴孔至少具有喷嘴锥部和直线连通路的喷嘴板， 工序1：准备表面的晶向为[100]面的单晶硅基板的工序， 工序2：在所述单晶硅基板的表面均匀地形成掩模层的工序， 工序3：在所述掩模层形成开口图案的工序， 工序6：对处于所述开口图案下的单晶硅基板，从表面起利用干式蚀刻进行深挖掘加工，从而形成孔部的工序， 工序7：在所述孔部的侧壁形成掩模层的工序， 工序4：对处于所述开口图案下的单晶硅基板，从表面起利用干式蚀刻进行贯通加工，从而形成贯通孔的工序， 工序5：通过对所述单晶硅基板的各向异性湿式蚀刻将所述贯通孔扩大，由此在单晶硅基板形成喷嘴锥部和与该喷嘴锥部的大径端连续的直线连通路的工序。
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