合肥工业大学王岩获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种富含二维缺陷的铜基纳米材料的制备方法及其在电催化CO2还原中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116590775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310557231.1，技术领域涉及：C25D9/08；该发明授权一种富含二维缺陷的铜基纳米材料的制备方法及其在电催化CO2还原中的应用是由王岩;罗杰;吴玉程;张剑芳;余翠平;秦永强;张勇设计研发完成，并于2023-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种富含二维缺陷的铜基纳米材料的制备方法及其在电催化CO2还原中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种富含二维缺陷的铜基纳米材料的制备方法及其在电催化CO2还原中的应用，是在电化学沉积制备铜基纳米材料的过程中，通过卤素F、Cl、Br和I掺杂诱导铜基纳米材料形成二维缺陷，获得富含二维缺陷的铜基纳米材料。本发明通过电化学沉积工艺，将卤族元素很好的掺入到铜纳米材料中，诱导出不同的缺陷及活性位点，增强了反应中间体的吸附能力，提高了电催化还原二氧化碳eCO2RR向多碳C2+产物的转化效率，且通过调节电解液中卤化物的类型和浓度，所产生的缺陷类型和大小也会发生改变。
本发明授权一种富含二维缺陷的铜基纳米材料的制备方法及其在电催化CO2还原中的应用在权利要求书中公布了：1.一种富含二维缺陷的铜基纳米材料的制备方法，其特征在于：在电化学沉积制备铜基纳米材料的过程中，通过卤素掺杂诱导铜基纳米材料形成二维缺陷，获得富含二维缺陷的铜基纳米材料，包括如下步骤：在两电极的电解池中，以高纯铜箔为阳极、碳纸为阴极，以加入有卤化物的氢氧化钾溶液作为电解液，施加电流170~210mA，反应0.5~1小时，然后取出碳纸并清洗、吹干，即获得富含二维缺陷的铜基纳米材料； F掺杂诱导铜基纳米材料形成孪晶界缺陷和堆垛层错缺陷，Cl掺杂诱导铜基纳米材料形成堆垛层错缺陷，Br掺杂或I掺杂诱导铜基纳米材料形成晶界缺陷。
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