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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种过渡金属掺杂的混合离子/电子导体界面层包覆的高镍无钴正极材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116565176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310730713.2，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种过渡金属掺杂的混合离子/电子导体界面层包覆的高镍无钴正极材料是由范鑫铭;郭学益;田庆华设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种过渡金属掺杂的混合离子/电子导体界面层包覆的高镍无钴正极材料在说明书摘要公布了：一种过渡金属掺杂的混合离子电子导体界面层包覆的高镍无钴正极材料，所述过渡金属掺杂的混合离子电子导体界面层的化学式为LiaMbNcOd，其中M为V、Fe、Ni、Co、Cu中的一种，N为Al、Zr、Sn、Si中的一种，a的值为1或者2,0＜b≤0.5,0.5≤c＜1,2≤d≤3。本发明减少了高镍无钴材料表面残锂的形成。解决了高镍无钴正极材料在电化学过程中发生的结构坍塌和容量衰减较快的问题，所得正极材料循环稳定性好，可逆容量高。

本发明授权一种过渡金属掺杂的混合离子/电子导体界面层包覆的高镍无钴正极材料在权利要求书中公布了：1.一种过渡金属掺杂的混合离子电子导体界面层包覆的高镍无钴正极材料，其特征在于，所述过渡金属掺杂的混合离子电子导体界面层的化学式为LiaMbNcOd，其中M为V、Fe、Co、Cu中的一种，N为Al、Zr、Sn、Si中的一种，a的值为1或者2,0＜b≤0.5,0.5≤c＜1,2≤d≤3； 所述高镍无钴正极材料的化学式为LiNixX1-xO2，其中X为Mn、Fe中的一种或两种，x的范围为0.8≤x≤0.98；所述过渡金属掺杂的混合离子电子导体界面层，与高镍无钴正极材料的摩尔比为0.01-0.08：1； 所述过渡金属掺杂的混合离子电子导体界面层包覆的高镍无钴正极材料的制备方法包括以下步骤： 1将锂源、M源、N源在高温高压条件下反应，得LiaMbNcOd材料； 高温高压条件为温度1200-1800℃，压力为1-2MPa； 2将处在步骤1所述高温高压条件下的所述LiaMbNcOd材料，喷淋至高镍无钴正极材料前驱体上，混合均匀，得复合物； 采用底部设置有喷淋出口的高温高压反应釜进行步骤1的反应，反应结束后直接通过喷淋出口实现喷淋； 3将所述复合物与锂源混合，烧结，得过渡金属掺杂的混合离子电子导体界面层包覆的高镍无钴正极材料； 采用的喷淋-反应熔渗技术，能够向主体材料的一次颗粒表面引入复合组分，改性层能够通过反应熔渗过程与基底材料发生反应，通过化学键进行强力复合，并且结合喷淋工艺达到最优的复合效果。

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