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龙图腾网获悉上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司申请的专利一种实现芯片间直接互连的封装基板结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116364683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310240744.X，技术领域涉及：H10W70/20；该发明授权一种实现芯片间直接互连的封装基板结构及其制作方法是由郑毛荣;丁才华设计研发完成，并于2023-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种实现芯片间直接互连的封装基板结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种实现芯片间直接互连的封装基板结构，包括：基板；第一介质层；第一芯片，芯片的正面朝上埋入设置在第一介质层中，第一芯片具有第一焊盘和尺寸大于第一焊盘的第二焊盘；第二介质层；第一金属通孔，其贯穿第二介质层，并与第二焊盘电连接；第二金属通孔，其贯穿第二介质层和第一介质层，并与基板焊盘电连接；第三介质层；第三金属通孔，其贯穿第三介质层和第二介质层，并与第一焊盘电连接；第四金属通孔，其贯穿第三介质层，并与第二金属通孔电连接；其中第三金属通孔和第四金属通孔的顶面以及第三介质层的上表面均设置有焊盘；以及第二芯片，其通过凸点倒装焊接在第三金属通孔顶面的焊盘和第三介质层上表面的焊盘上。

本发明授权一种实现芯片间直接互连的封装基板结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种实现芯片间直接互连的封装基板结构，其特征在于，包括： 基板，所述基板的正面具有基板焊盘； 第一介质层，其设置在所述基板的正面； 第一芯片，所述芯片的正面朝上埋入设置在所述第一介质层中，所述第一芯片具有第一焊盘和尺寸大于第一焊盘的第二焊盘； 第二介质层，其覆盖所述第一介质层和所述第一芯片； 第一金属通孔，其贯穿所述第二介质层，并与所述第一芯片的第二焊盘电连接； 第二金属通孔，其贯穿所述第二介质层和所述第一介质层，并与所述基板焊盘电连接； 第三介质层，其覆盖所述第二介质层； 第三金属通孔，其贯穿所述第三介质层和所述第二介质层，并与所述第一芯片的第一焊盘电连接； 第四金属通孔，其贯穿所述第三介质层，并与所述第二金属通孔电连接；其中所述第三金属通孔和所述第四金属通孔的顶面以及所述第三介质层的上表面均设置有焊盘；以及 第二芯片，其通过凸点倒装焊接在第三金属通孔顶面的焊盘和第三介质层上表面的焊盘上。

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