中国科学院微电子研究所焦斌斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种芯片散热结构及散热方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116314082B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310182683.6,技术领域涉及:H10W40/47;该发明授权一种芯片散热结构及散热方法是由焦斌斌;杜向斌;孔延梅;叶雨欣;刘瑞文;云世昌;余立航设计研发完成,并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片散热结构及散热方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种芯片散热结构及散热方法,本发明涉及芯片热管理技术领域,用于解决现有技术中散热能力有限的问题。结构包括:结构层、第一柔性歧管层以及第二柔性歧管层;第一柔性歧管层和第二柔性歧管层上均设置有冷却工质进口以及冷却工质出口;并且第一柔性歧管层上的冷却工质进口以及冷却工质出口与第二柔性歧管层上的冷却工质进口以及冷却工质出口对应连通;第一柔性歧管层上还设置有分液通道;结构层设置在第一柔性歧管层的上方且设置有微流道结构,冷却工质通过分液通道均匀分散到所述微流道结构中。将柔性歧管与微流散热引入柔性电子系统中高功率芯片的热管理中,冷却液直接泵送到芯片热点处,快速将热量带走,可以有效提高散热效率。
本发明授权一种芯片散热结构及散热方法在权利要求书中公布了:1.一种芯片散热结构,其特征在于,包括: 结构层、第一柔性歧管层以及第二柔性歧管层; 所述第一柔性歧管层以及第二柔性歧管层上均设置有冷却工质进口以及冷却工质出口;所述第一柔性歧管层设置在所述第二柔性歧管层的上方,且所述第一柔性歧管层上的冷却工质进口、冷却工质出口与所述第二柔性歧管层上的冷却工质进口、冷却工质出口对应连通; 所述第一柔性歧管层上还设置有分液通道,所述分液通道与所述第一柔性歧管层上设置的冷却工质进口以及冷却工质出口相连通; 所述结构层设置在所述第一柔性歧管层的上方,所述结构层在靠近所述第一柔性歧管层的一侧设置有微流道结构,冷却工质通过所述分液通道均匀分散到所述微流道结构中;芯片散热结构中包括多层具有梯度性硬度的柔性歧管;所述第一柔性歧管层以及第二柔性歧管层分别包括多层柔性歧管;所述多层柔性歧管呈梯状设置且靠近芯片设置的柔性歧管的硬度大于远离芯片设置的柔性歧管的硬度。
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