株洲中车时代半导体有限公司张东华获国家专利权
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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310112837.4，技术领域涉及：H10P95/00；该发明授权一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件是由张东华;朱奇伟;刘芹;王志成;程银华;赵艳黎;潘昭海设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件，所述方法包括在所述沟槽型器件的晶圆表面旋涂一光刻胶层，形成第一晶圆；将所述第一晶圆进行厚度为T1的第一次碳膜沉积，形成第二晶圆；去除所述第二晶圆表面沉积的光刻胶层和碳膜层，形成第三晶圆；将所述第三晶圆进行厚度为T2的第二次碳膜沉积，形成目标晶圆，其中，c为所述沟槽型器件的台阶覆盖率。通过上述两次碳膜沉积，使得沟槽型器件的晶圆表面、沟槽侧壁和沟槽底部的碳膜厚度相同，具有相同的碳保护能力，确保了碳膜对沟槽型器件不同位置的碳保护能力的一致性。
本发明授权一种沟槽型器件沉积碳膜的方法和沟槽型器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型器件沉积碳膜的方法，所述沟槽型器件的晶圆包括表面、沟槽侧壁和沟槽底部，其特征在于，包括： 在所述沟槽型器件的晶圆表面旋涂一光刻胶层，形成第一晶圆； 将所述第一晶圆进行厚度为T1的第一次碳膜沉积，形成第二晶圆； 去除所述第二晶圆表面沉积的光刻胶层和碳膜层，形成第三晶圆； 将所述第三晶圆进行厚度为T2的第二次碳膜沉积，形成目标晶圆，其中，c为所述沟槽型器件的台阶覆盖率。
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