买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种BSIM-IMG噪声模型优化方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116305960B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310287395.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种BSIM-IMG噪声模型优化方法及装置是由李子韩;卜建辉;张心怡;王可为;李博设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种BSIM-IMG噪声模型优化方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种BSIM‑IMG噪声模型优化方法及装置，应用于器件提参建模技术领域。包括：添加FDSOIMOSFET器件的沟道背界面参数和载流子分布参数，沟道背界面参数包括NOIA2、NOIB2、NOIC2以及界面陷阱参数，载流子分布参数包括载流子分布峰值；根据沟道背界面参数和载流子分布参数对BSIM‑IMG噪声模型进行优化，得到优化后的BSIM‑IMG噪声模型。如此，背栅电压影响沟道背界面参数和载流子分布参数，而沟道背界面参数和载流子分布参数影响1f噪声的大小。基于沟道背界面参数和载流子分布参数对BSIM‑IMG噪声模型进行优化，即引入背栅电压对沟道背界面和载流子分布的噪声影响，完整的考虑背栅电压对1f噪声的影响，优化后的BSIM‑IMG噪声模型提高了模型仿真准确率，能够准确反映背栅电压对噪声的影响。

本发明授权一种BSIM-IMG噪声模型优化方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种BSIM-IMG噪声模型优化方法，其特征在于，所述方法包括： 添加FDSOIMOSFET器件的沟道背界面参数和载流子分布参数，所述沟道背界面参数包括NOIA2陷阱密度参数、NOIB2陷阱密度参数、NOIC2陷阱密度参数以及界面陷阱参数，所述载流子分布参数包括载流子分布峰值； 根据所述沟道背界面参数和所述载流子分布参数对BSIM-IMG噪声模型进行优化，得到优化后的BSIM-IMG噪声模型； 所述根据所述沟道背界面参数和所述载流子分布参数对BSIM-IMG噪声模型进行优化，得到优化后的BSIM-IMG噪声模型，包括： 根据所述NOIA2陷阱密度参数、所述NOIB2陷阱密度参数、所述NOIC2陷阱密度参数、所述界面陷阱参数以及所述载流子分布峰值计算噪声电流功率谱密度Sid，得到优化后的BSIM-IMG噪声模型，所述噪声电流功率谱密度Sid用于表征1f噪声参数的大小； ； ； ； ； ； ； ； ； 其中，k为玻尔兹曼常数，T为温度，q为元电荷，为漏源电流，为有效迁移率，表示隧穿系数，f为频率，L为沟道长度，为氧化层电容，R1表征沟道前界面对1f噪声参数的影响，R2表征沟道背界面对1f噪声参数的影响，FN1、FN2、、为计算过程的中间变量，NOIA、NOIB、NOIC为现有模型中的1f噪声参数，为源端电荷密度，为漏端电荷密度；为前栅电荷数量，为靠近沟道背界面的载流子比例，为沟道中载流子总数量，为背栅电荷数量；VBG0为沟道中载流子分布峰值的参数，即背栅电压调节参数，VBG为背栅电压，为界面陷阱电容；为BOX层电容，为背界面陷阱参数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。