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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种标准单元版图优化方法、装置、系统和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116258116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310273841.9，技术领域涉及：G06F30/3947；该发明授权一种标准单元版图优化方法、装置、系统和介质是由陆仁杰;陈岚设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种标准单元版图优化方法、装置、系统和介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种标准单元版图优化方法、装置、系统和介质，根据初始标准单元版图的实际工艺流程和结构参数，进行电学仿真，根据仿真结果计算初始标准单元版图的仿真性能指标；当仿真性能指标与预设性能指标一致时，根据初始标准单元版图的版图依赖效应模型拟合因子，建立版图依赖效应多项式模型，对初始标准单元版图的结构参数进行修正，得到修正后器件结构参数；建立紧凑模型，采用贪心算法对初始标准单元版图进行优化。利用半导体工艺以及器件模拟工具基于版图依赖效应建模，减少测试流片成本，通过生成紧凑模型，结合贪心算法快速生成优化的标准单元版图，提高标准单元版图优化效率，指导工艺开发早期提升标准单元版图性能，缩短研发周期。

本发明授权一种标准单元版图优化方法、装置、系统和介质在权利要求书中公布了：1.一种标准单元版图优化方法，其特征在于，包括： 根据当前器件初始标准单元版图的实际工艺流程和结构参数，进行器件电学仿真，得到仿真结果； 根据所述仿真结果计算所述当前器件初始标准单元版图的仿真性能指标； 当所述仿真性能指标与预设性能指标一致时，根据所述当前器件初始标准单元版图的版图依赖效应模型拟合因子，建立版图依赖效应多项式模型； 根据所述版图依赖效应多项式模型对所述当前器件初始标准单元版图的结构参数进行修正，得到修正后器件结构参数； 根据所述修正后器件结构参数建立所述当前器件的紧凑模型； 根据所述当前器件的紧凑模型，采用贪心算法对所述当前器件初始标准单元版图进行优化，得到优化标准单元版图； 所述采用贪心算法对所述当前器件初始标准单元版图进行优化，得到优化标准单元版图，包括： 根据所述初始标准单元版图的版图依赖效应，采用所述贪心算法对所述当前器件初始标准单元版图的版图依赖效应的版图依赖因子进行优化，得到所述优化标准单元版图，所述版图依赖因子包括Poly硅沟道到STI的距离SA和SB，Poly宽度L，器件宽度W。

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