买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310240998.1，技术领域涉及：H01S5/227；该发明授权一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法是由万文坚;曹俊诚设计研发完成，并于2023-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法。该方法包括：1提供一种太赫兹量子级联激光器材料；2在材料表面进行刻蚀，刻蚀出一深度和下接触层厚度相同的凹槽7；3采用配备激光干涉仪的干法刻蚀系统对材料再进行刻蚀，刻蚀出脊形结构8，凹槽7同步被刻蚀，激光干涉仪对凹槽底部进行在线检测；4当激光干涉仪振荡信号强度出现跳变时，凹槽7底部刚好被刻蚀至下接触层4与刻蚀停止层3界面，而此时脊形结构8两边刚好被刻蚀至多量子阱有源区5和下接触层4的界面。该方法仅通过增加一步简单的凹槽预刻蚀工艺，即可有效判断最佳刻蚀深度，提高了激光器脊波导刻蚀深度准确性。

本发明授权一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤： 1提供一种太赫兹量子级联激光器材料，所述材料从下往上依次为衬底1、缓冲层2、刻蚀停止层3、下接触层4、多量子阱有源区5以及上接触层6；所述刻蚀停止层3厚度为100nm～300nm，材料为高铝组分非掺杂AlxGa1-xAs，x为0.5～0.6；下接触层4厚度为400nm～600nm，材料为n型Si掺杂GaAs，Si掺杂浓度为2×1018cm-3～3×1018cm-3； 2在材料表面进行第一次刻蚀，刻蚀出一凹槽7；所述凹槽7深度和下接触层4厚度相同； 3采用配备激光干涉仪的干法刻蚀系统对材料进行第二次刻蚀，刻蚀出截面为凸字形的脊形结构8，脊形结构8顶部始终不被刻蚀，脊形结构8两边包括上述凹槽7同步被刻蚀，以保证凹槽7底部始终比脊形结构8两边深一个下接触层4厚度，激光干涉仪对凹槽底部进行在线检测，激光干涉仪信号强度随时间平滑振荡； 4当激光干涉仪振荡信号不再平滑变化，强度出现跳变时，凹槽7底部刚好被刻蚀至下接触层4与刻蚀停止层3界面，而此时脊形结构8两边刚好被刻蚀至多量子阱有源区5和下接触层4的界面，刻蚀深度达到最优。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。