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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利具有体二极管的氮化镓IGBT器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211655617.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权具有体二极管的氮化镓IGBT器件及其制备方法、芯片是由黄汇钦设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有体二极管的氮化镓IGBT器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种具有体二极管的氮化镓IGBT器件及其制备方法、芯片，具有体二极管的氮化镓IGBT器件包括：P型氮化镓集电区、N型氮化镓层、P型氮化镓层、栅极介质层、栅极、第一N型发射区、肖特基金属区、隔离区、第一发射极、第二发射极以及集电极。通过将肖特基金属区设于所述P型氮化镓层和所述N型氮化镓层内，当氮化镓IGBT器件在工作时，肖特基金属区可以形成氮化镓IGBT器件的体二极管，当氮化镓IGBT器件关断时，肖特基金属区形成的体二极管可以将氮化镓IGBT器件残留的电流消耗掉，即斩断其尾流，进而减小氮化镓IGBT器件在关断时的功耗，提升氮化镓IGBT器件的性能。

本发明授权具有体二极管的氮化镓IGBT器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有体二极管的氮化镓IGBT器件，其特征在于，所述氮化镓IGBT器件包括： P型氮化镓集电区； N型氮化镓层，设于所述P型氮化镓集电区的正面； P型氮化镓层，设于所述N型氮化镓层上； 栅极介质层，设于所述P型氮化镓层内，且深入至所述N型氮化镓层；其中，所述栅极介质层呈凹形结构，所述栅极介质层将所述P型氮化镓层分成第一P型氮化镓掺杂区和第二P型氮化镓掺杂区； 栅极，设于所述栅极介质层的凹槽内； 第一N型发射区，设于所述第一P型氮化镓掺杂区内，且与所述栅极介质层接触； 肖特基金属区，设于所述P型氮化镓层和所述N型氮化镓层内，且分别与所述P型氮化镓层和所述N型氮化镓层接触； 隔离区，设于所述P型氮化镓层和所述N型氮化镓层内，用于隔离所述肖特基金属区和所述栅极介质层； 第一发射极，设于所述第一P型氮化镓掺杂区和所述第一N型发射区上； 第二发射极，设于所述肖特基金属区上； 集电极，设于所述P型氮化镓集电区的背面。

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