意法半导体(克洛尔2)公司M·巴拉斯获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利通孔制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247001B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211556733.4，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权通孔制造方法是由M·巴拉斯;P·古劳德设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本通孔制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及通孔制造方法。提出了一种用于制造绝缘导电通孔的方法。该通孔穿过层的第一堆叠到达第一层。形成部分延伸到层的第一堆叠中的第一腔体。在层的第一堆叠之上和第一腔体中形成层的第二堆叠。层的第二堆叠包括蚀刻停止层和绝缘层。然后形成完全延伸穿过第一层的堆叠和第二层的堆叠到达第一层的第二腔体。然后，绝缘衬套覆盖第二腔体的壁和底部。然后各向异性地蚀刻绝缘衬套，并且用形成通孔的芯的导电材料填充第二腔体。
本发明授权通孔制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造方法，包括： a在层的第一堆叠中形成第一腔体，其中所述层的第一堆叠包括至少一个导电或半导体层和第一层，所述层的第一堆叠中的所述第一腔体部分地穿过所述至少一个导电或半导体层； b在所述层的第一堆叠的上表面上以及在所述第一腔体的壁和底部上形成层的第二堆叠，所述层的第二堆叠包括覆盖有第一绝缘层的蚀刻停止层； c蚀刻穿过所述层的第一堆叠和所述层的第二堆叠的第二腔体，所述第二腔体在所述第一腔体的底部和所述第一层之间延伸； d形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述层的第二堆叠以及所述第二腔体的壁和底部； e各向异性蚀刻所述第二绝缘层，以在所述第二腔体的壁上形成绝缘护套，其中所述各向异性蚀刻选择性地在所述蚀刻停止层的材料之上蚀刻所述第二绝缘层的材料；以及 f用导电材料填充所述第二腔体，以形成穿过所述层的第一堆叠到达所述第一层的绝缘导电通孔的导电芯。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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