上海华虹宏力半导体制造有限公司段文婷获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利LDMOS结构及其设计版图、制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211566298.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权LDMOS结构及其设计版图、制造方法是由段文婷设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOS结构及其设计版图、制造方法在说明书摘要公布了：一种LDMOS结构及其设计版图、制造方法，结构包括：半导体衬底；第一掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底内；第二掺杂类型的阱区，位于所述埋层内；全包围所述阱区的第一掺杂类型的漏区，位于所述埋层内；其中，在平行于所述LDMOS结构的沟道方向上，位于所述漏区内的埋层被非掺杂埋区间隔为两部分；在垂直于所述LDMOS结构的沟道方向上，所述非掺杂埋区分别与所述漏区的内侧齐平。本发明可以有效改善器件的BV，提高半导体器件的品质。
本发明授权LDMOS结构及其设计版图、制造方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS结构，其特征在于，包括： 半导体衬底； 第一掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底内； 第二掺杂类型的阱区，位于所述埋层内； 全包围所述阱区的第一掺杂类型的漏区，位于所述埋层内； 其中，在平行于所述LDMOS结构的沟道方向上，位于所述漏区内的埋层被非掺杂埋区间隔为两部分； 在垂直于所述LDMOS结构的沟道方向上，所述非掺杂埋区分别与所述漏区的内侧齐平。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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