三星SDI株式会社李恩株获国家专利权
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龙图腾网获悉三星SDI株式会社申请的专利负极活性物质和包括该负极活性物质的可再充电锂电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115799463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211077351.3,技术领域涉及:H01M4/36;该发明授权负极活性物质和包括该负极活性物质的可再充电锂电池是由李恩株;金容汐;金载原;罗载澔;沈揆伦设计研发完成,并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本负极活性物质和包括该负极活性物质的可再充电锂电池在说明书摘要公布了:提供了一种用于可再充电锂电池的负极活性物质和可再充电锂电池,负极活性物质包括:多孔硅‑碳复合物,包括硅、碳和硅酸镁MgSiO3,并且具有0.001IMgSiO3610ISi1110.01的衍射峰强度比IMgSiO3610ISi111,该衍射峰强度比IMgSiO3610ISi111是在X射线衍射分析中在2θ=30°至32°处的MgSiO3的衍射峰强度IMgSiO3610与在2θ=27.5°至29.5°处检测的Si111的衍射峰强度ISi111的比。
本发明授权负极活性物质和包括该负极活性物质的可再充电锂电池在权利要求书中公布了:1.一种用于可再充电锂电池的负极活性物质,所述负极活性物质包括: 多孔硅-碳复合物,包括硅、碳和硅酸镁,具有0.001I硅酸镁610I硅1110.01的衍射峰强度比I硅酸镁610I硅111,衍射峰强度比I硅酸镁610I硅111是在X射线衍射分析中在2θ=30°至32°处的硅酸镁的衍射峰强度I硅酸镁610与在2θ=27.5°至29.5°处检测的硅111的衍射峰强度I硅111的比。
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