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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利栅极阵列结构一体化器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115714126B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211223119.6，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权栅极阵列结构一体化器件及其制备方法是由张濛;邹旭;马晓华;杨凌;侯斌;武玫;郝跃设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅极阵列结构一体化器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅极阵列结构一体化器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；缓冲层，位于衬底的一侧；沟道层，位于缓冲层背离衬底的一侧；势垒层，位于沟道层背离衬底的一侧；钝化层，位于势垒层背离衬底的一侧；第一沟槽，沿垂直于衬底的方向贯穿钝化层和势垒层，以及至少部分沟道层；第二沟槽，沿垂直于衬底的方向贯穿钝化层和势垒层；第二沟槽位于第一沟槽之间；第一栅极作为射频栅，第一栅极包括第一支部和第二支部，第一支部位于沟道层的第一沟槽内，第二支部位于第二沟槽内，第一支部和第二支部形成阵列结构；第二栅极为直流栅；第二栅极与第一栅极沿第二方向间隔排布。本申请能够有效保证一体化器件信号的高线性度。

本发明授权栅极阵列结构一体化器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种栅极阵列结构一体化器件，其特征在于，基于氮化镓高电子迁移率场效应晶体管，包括： 衬底； 缓冲层，位于所述衬底的一侧； 沟道层，位于所述缓冲层背离所述衬底的一侧； 势垒层，位于所述沟道层背离所述衬底的一侧； 钝化层，位于所述势垒层背离所述衬底的一侧； 第一沟槽，沿垂直于衬底的方向贯穿所述钝化层和所述势垒层，以及至少部分所述沟道层； 第二沟槽，沿垂直于衬底的方向贯穿所述钝化层和所述势垒层；所述第二沟槽位于所述第一沟槽之间，且所述第一沟槽和所述第二沟槽连通； 第一栅极，位于所述缓冲层背离所述衬底的一侧，所述第一栅极为射频栅；所述第一栅极包括第一支部和第二支部，所述第一支部位于所述沟道层的所述第一沟槽内，所述第二支部位于所述第二沟槽内，所述第一支部和第二支部形成阵列结构；所述第一栅极为射频栅，采用阵列结构，起到功放作用； 第二栅极，位于所述势垒层背离所述衬底的一侧，所述第二栅极为直流栅；所述第二栅极沿第一方向延伸，且所述第二栅极与所述第一栅极沿第二方向间隔排布；所述第二栅极包括第三支部和第四支部，所述第三支部位于第三沟槽，所述第四支部覆盖于所述第三支部上；所述第二栅极为直流栅，采用T型或I型结构，其结构包括栅和栅帽，起到开关作用；所述第一方向与所述第二方向相交。

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