京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司徐元杰获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利显示基板及其制作方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115700052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180001280.6，技术领域涉及：H10K59/131；该发明授权显示基板及其制作方法、显示装置是由徐元杰;王本莲;周桢力;任志明;杨晓峰;王振;陆忠;杜丽丽;蒋冬华设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示基板及其制作方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置，包括：基底，具有走线区；至少一层走线层，位于基底上，每一走线层在走线区包括多条采用不同构图工艺得到间隔设置的第一走线和第二走线，至少部分第一走线和第二走线相邻设置，且相邻设置的第一走线和第二走线之间的距离小于2um。
本发明授权显示基板及其制作方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其中，包括： 基底，具有走线区； 至少一层走线层，位于所述基底上，至少一层所述走线层在所述走线区包括多条采用不同构图工艺得到间隔设置的第一走线和第二走线，至少部分所述第一走线和所述第二走线相邻设置，且相邻设置的所述第一走线和所述第二走线之间的距离小于2um； 其中，所述第一走线的材料为p-ITO，所述第二走线的材料为a-ITO；其中，所述p-ITO的晶粒大于所述a-ITO的晶粒，所述p-ITO的晶界少于所述a-ITO的晶界，所述p-ITO的电阻小于所述a-ITO的电阻； 或者，所述第一走线的材料为a-ITO，所述第二走线的材料包括掺杂a-Si、IZO、IGZO中至少之一； 或者，所述第一走线的材料为a-ITO，所述第二走线包括设置在所述基底上的第一子走线以及设置在所述第一子走线背离所述基底一侧的第二子走线，所述第一子走线与所述第二子走线的图案一致且大致重叠，所述第一子走线的材料为a-ITO，所述第二子走线的材料包括掺杂a-Si、IZO、IGZO中至少之一。
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