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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种肖特基二极管、制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663016B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211310500.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种肖特基二极管、制备方法及芯片是由王威;黄汇钦设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种肖特基二极管、制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种肖特基二极管、制备方法及芯片，肖特基二极管包括：半导体衬底、沟道层、第一势垒层、第二势垒层、第一P柱、第二P柱、阴极电极单元以及阳极电极单元；本申请通过设置阳极电极单元为肖特基金属，且阳极电极单元与第一P柱、第二P柱接触，使得是阳极电极单元与第一P柱之间为肖特基接触，阳极电极单元与第二P柱之间为肖特基接触，可以使得阳极电极单元与第一P柱、第二P柱之间存在较高的肖特基势垒高度，进而减小阳极电极单元的泄漏电流，提供较高的正向阈值电压，从而提升肖特基二极管的击穿电压电压。

本发明授权一种肖特基二极管、制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括： 半导体衬底； 沟道层，设于所述半导体衬底上； 第一势垒层，设于所述半导体衬底上，且与所述沟道层的第一面接触； 第二势垒层，设于所述半导体衬底上，且与所述沟道层的第二面接触； 第一P柱，设于所述半导体衬底上，且所述第一势垒层设于所述第一P柱和所述沟道层之间； 第二P柱，设于所述半导体衬底上，且所述第二势垒层设于所述第二P柱和所述沟道层之间； 阴极电极单元，设于所述半导体衬底上，且所述阴极电极单元分别与所述沟道层的第一端、所述第一势垒层的第一端以及所述第二势垒层的第一端接触； 阳极电极单元，所述阳极电极单元的形状为“L”形；其中，所述阳极电极单元的垂直部设于所述半导体衬底上，且所述垂直部分别与所述沟道层的第二端、所述第一势垒层的第二端、所述第二势垒层的第二端接触，所述阳极电极单元的的水平部设于所述第一P柱、所述第二P柱、所述沟道层、所述第一势垒层以及所述第二势垒层上，所述阳极电极单元为肖特基金属，所述阳极电极单元与所述第一P柱之间为肖特基接触，所述阳极电极单元与所述第二P柱之间为肖特基接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天狼芯半导体(成都)有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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