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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种PIP电容的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115643792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211348610.1，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权一种PIP电容的制备方法是由陈晓宇;薛东风;赵杰;刘存生;陈宝忠设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PIP电容的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及CMOS集成电路制造工艺领域，公开了一种PIP电容的制备方法，首先，通过注入减少PIP电容下极板WSix薄膜应力，然后，通过干法刻蚀减少PIP电容下极板表面寄生的SiO2。通过注入减少下极板WSix薄膜应力，可以提高PIP电容的可靠性；注入能量的选择原则是使得注入高斯分布的深度Rp+3ΔRp达到整个WSix薄膜厚度的80％；经过注入后WSix薄膜的应力减少了一个数量级，选择磷元素消除WSix薄膜应力，因为N型多晶注入掺杂经常选用磷元素。同时，磷注入也能起到增加多晶掺杂浓度，减少了多晶的耗尽。

本发明授权一种PIP电容的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PIP电容的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，在完成阱注入、有源区光刻和刻蚀、场区隔离和栅氧的硅衬底晶圆上淀积形成无掺杂的多晶硅层，对多晶硅层进行N型扩散掺杂； 步骤2，在进行N型扩散掺杂后的多晶硅层上淀积WSix层； 步骤3，对淀积WSix层后的多晶硅层进行光刻和刻蚀，刻蚀后去胶，形成PIP电容下极板； 步骤4，对PIP电容下极板进行PIP电容反版光刻，将磷元素注入到PIP电容下极板的WSix层，使得WSix层非晶化，减少WSix薄膜的应力； 磷元素注入的能量范围为20~100keV，注入剂量为1×1015~1×1016cm2，其中，注入能量的选择原则是使得注入高斯分布的深度Rp+3ΔRp达到整个WSix薄膜厚度的80%；磷元素注入也增加了WSix层下第一多晶的掺杂浓度，减少了多晶耗尽； 步骤5，对注入磷元素后的PIP电容下极板的WSix层表面刻蚀，通过干法刻蚀去除WSix层表面寄生的SiO2，刻蚀后去胶； 对注入磷元素后的PIP电容下极板的WSix层表面刻蚀，通过干法刻蚀去除WSix层表面寄生的SiO2，其中采用CF4和CHF3为主刻蚀气体，SiO2WSix刻蚀选择比为10：1，刻蚀后去除PIP电容反版光刻的光刻胶掩蔽层； 步骤6，在去胶的PIP电容下极板上淀积PIP电容介质层； 步骤7，在PIP电容介质层淀积PIP电容上极板多晶并进行N型注入掺杂； 步骤8，对PIP电容上极板多晶进行光刻和刻蚀，刻蚀后去胶，形成PIP电容； 对PIP电容上极板多晶进行光刻和刻蚀，其中光刻包括涂胶、曝光和显影，在PIP电容上极板多晶上用光刻胶形成PIP电容刻蚀掩蔽层，刻蚀后干法和湿法去胶，形成PIP电容。

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