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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332350B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211030592.2，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种LDMOS器件及其制备方法是由陈涛;黄汇钦设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括：LDMOS器件包括：半导体衬底、埋氧区、P型阱区、源极区、P型基区、漏极区、漂移区、栅极氧化层、栅极区、源极电极、漏极电极、栅极电极以及栅极扩展区。通过在栅极区和漏极电极之间设置栅极扩展区，可以在漂移区上方形成一条从漏极区到源极区的低电阻的高浓度电子通道，进而减小LDMOS器件的导通电阻，并将半导体衬底与漂移区交错设置，避免器件由于其内部形成的电场尖峰造成击穿，从而在提升LDMOS器件在击穿电压的同时，减少了LDMOS器件导通电阻，解决了现有的LDMOS器件在击穿电压与导通电阻方面不能做到平衡的问题。

本发明授权一种LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括： 埋氧区，所述埋氧区呈“L”型结构； 半导体衬底，设于埋氧区的背面； P型阱区，设于所述埋氧区的水平部上，其中，所述P型阱区呈“L”型结构； 源极区，设于所述P型阱区的水平部上； P型基区，设于所述埋氧区的水平部上，且分别与所述P型阱区以及所述源极区接触； 漏极区，设于所述埋氧区的垂直部上； 漂移区，设于所述埋氧区的垂直部上，且位于所述P型阱区与所述漏极区之间； 栅极氧化层，设于所述源极区、所述P型阱区、所述漏极区以及所述漂移区上；其中，所述栅极氧化层呈“L”型结构； 栅极区，位于所述栅极氧化层的水平部上； 源极电极，与所述源极区接触； 漏极电极，与所述漏极区接触； 栅极电极，与所述栅极区接触； 栅极扩展区，设于所述栅极区与所述漏极电极之间，且位于所述栅极氧化层上； 其中，所述半导体衬底与所述漂移区在所述埋氧区上的投影不重叠。

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