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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利芯片散热结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116863B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210827825.5，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权芯片散热结构及其制备方法是由施宜军;贺致远;陈义强;黄云;蔡宗棋;惠财鑫;江洁;路国光设计研发完成，并于2022-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片散热结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种芯片散热结构及其制备方法，芯片散热结构的制备方法包括：将制冷片进行减薄处理，以使制冷片的冷面和芯片贴合；在基板上贯穿开设有安装槽；其中，基板设置在散热件上；将制冷片安装在安装槽内，以使热面和散热件贴合；其中，制冷片的冷面和基板背向散热件的表面平齐；封装芯片和制冷片。将制冷片减薄之后，使得制冷片的冷面能够和芯片直接贴合接触，提高制冷效率，也降低了制冷片的厚度，使得制冷片安装在安装槽内后能够和基板的表面平齐，降低了芯片散热结构的整体体积，增加芯片散热结构及相关设备的集成度。同时，制冷片的热面和散热件贴合，进一步提高芯片散热结构的散热效果和散热效率。

本发明授权芯片散热结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片散热结构的制备方法，其特征在于，所述芯片散热结构的制备方法包括： 设置第一衬底，并在所述第一衬底上设置导电结构；在所述导电结构上设置半导体组件，并对所述导电结构进行蚀刻；在所述半导体组件上盖设第二衬底，形成制冷片；所述制冷片的初始状态为封装状态，且所述制冷片中具有陶瓷层；设置第三衬底并在所述第三衬底上形成p-GaN层；蚀刻所述p-GaN层，并在所述p-GaN层上形成钝化结构；蚀刻所述钝化结构，并在所述钝化结构上设置电极结构，形成芯片的主体； 将所述制冷片进行减薄处理，以使所述制冷片的冷面和所述芯片贴合；其中，所述制冷片上相背的两侧面分别为冷面和热面，所述陶瓷层设置在所述冷面上；将所述制冷片开封，并去除所述制冷片的陶瓷层； 在基板上贯穿开设有安装槽；其中，所述基板设置在散热件上； 将所述制冷片安装在所述安装槽内，以使所述热面和所述散热件贴合；其中，所述制冷片的冷面和所述基板背向所述散热件的表面平齐；所述制冷片一体成型于所述基板上，且位于所述安装槽内； 封装所述芯片和所述制冷片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511300 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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