中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司金玄永获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法和存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011625006.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制备方法和存储器件是由金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;白国斌;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法和存储器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，提供形成有导电结构的半导体衬底，半导体衬底上；在导电结构的上方制备与导电结构连接的插塞；在形成了插塞的半导体衬底表面形成浸润层，浸润层为金属间化合物，金属间化合物含有金属线元素、抗电迁移的金属元素以及起粘合作用的金属元素；在浸润层的上方形成包含金属线元素的上金属层；对浸润层和上金属层进行图形化处理，得到连接导电结构的互连线。通过本发明能够形成厚薄均匀的浸润层和上金属层，进而提高了像电迁移、应力迁移等可靠度，保证了半导体产品质量。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法和存储器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有导电结构； 在所述导电结构的上方制备与所述导电结构连接的插塞； 在形成了所述插塞的半导体衬底表面形成浸润层，所述浸润层为金属间化合物，所述金属间化合物含有金属线元素、抗电迁移的金属元素以及起粘合作用的金属元素,所述金属间化合物中的金属线元素是与后续形成上金属层的金属材料相关；所述抗电迁移的金属元素是Cu，或者是与Cu的电子迁移率相同或相近的其他金属元素，所述起粘合作用的金属元素是Ti、Ta以及Ni中任意一种金属元素；所述金属线元素为铝或铝合金，所述金属间化合物为TiAlCu,TaAlCu,CrAlCu或者NiAlCu； 在所述浸润层的上方形成包含所述金属线元素的上金属层； 对所述浸润层和所述上金属层进行图形化处理，得到连接所述导电结构的互连线。
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