买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体器件的二极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582969B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210268887.7，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权功率半导体器件的二极管结构是由R.巴布尔斯克;P.C.布兰特;J.G.拉文设计研发完成，并于2017-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件的二极管结构在说明书摘要公布了：本发明公开功率半导体器件的二极管结构。功率半导体器件包括：半导体主体，耦合到第一负载端子和第二负载端子。主体包括：至少一个二极管结构，被配置为在端子之间传导负载电流并且包括电气连接到第一负载端子的阳极端口和电气连接到第二负载端子的阴极端口；以及相同导电类型的漂移区和场停止区。阴极端口包括具有相对导电类型的第一端口部分和第二端口部分。第二端口部分中的每个和场停止区之间的过渡形成沿第一横向方向延伸的相应pn结。第二端口部分中的紧邻的第二端口部分之间的横向分离距离在第二组中比在第一组中小。

本发明授权功率半导体器件的二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，包括： 半导体主体，耦合到第一负载端子和第二负载端子，其中所述半导体主体包括： 具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区； 至少一个二极管结构，被配置为在第一和第二端子之间传导负载电流并且包括电气连接到第一负载端子的阳极端口和电气连接到第二负载端子的阴极端口； 具有以比漂移区更高的掺杂剂浓度的第一导电类型的掺杂剂的场停止区，所述场停止区布置在阴极端口和漂移区之间； 有源区和将所述有源区与所述半导体主体的横向边缘横向分离的终止区， 其中所述阴极端口包括： 具有第一导电类型的掺杂剂的第一端口部分和具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂剂的第二端口部分，所述第二端口部分中的每个和所述场停止区之间的过渡形成沿第一横向方向延伸的相应pn结； 其中第一和第二端口部分的第一组设置在所述有源区中，所述第一组包括在所述第二端口部分之间交替布置的第一端口部分， 其中第一和第二端口部分的第二组设置在所述终止区中，所述第二组包括在所述第二端口部分之间交替布置的第一端口部分，以及 其中所述第二端口部分中的紧邻的第二端口部分之间的横向分离距离在第二组中比在第一组中小。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技股份有限公司，其通讯地址为：德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。