中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司金玄永获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446885B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011213203.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件是由金玄永;郭挑远;徐康元;高建峰;范正萍;杨涛;王文武;李俊峰设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，方法包括：半导体衬底上形成有接触结构，接触结构与电容器电连接；在接触结构的上方形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上方形成牺牲层及支撑层的叠层；牺牲层及支撑层均包括至少一层；在每次形成支撑层后对支撑层进行离子注入，并对离子注入后的支撑层进行退火处理；在最顶面的支撑层上方形成硬掩膜层；向支撑层内注入离子，利用离子碰撞释放Si‑O键之间的应力，去除支撑层的残余膜压力；对支撑层进行退火处理，形成具有高致密性的膜，避免半导体器件的电容电极出现弯曲、裂纹或者抬现象；这样无需调整支撑层的沉积条件，无需缩小支撑层的工序窗，确保制备工艺的稳定性及半导体器件的整体性能。
本发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有接触结构，所述接触结构与电容器电连接； 在所述接触结构的上方形成刻蚀停止层； 在所述刻蚀停止层上方形成牺牲层及支撑层的叠层；所述牺牲层及所述支撑层均包括至少一层，所述牺牲层及所述支撑层的位置关系为交叉层叠； 其中，在每次形成所述支撑层后对所述支撑层进行离子注入，并对离子注入后的所述支撑层进行退火处理；在支撑层内利用离子碰撞来切断Si-O网络，释放Si-O键之间存在的应力； 在最顶面的支撑层上方形成硬掩膜层； 所述在每次形成所述支撑层后对所述支撑层进行离子注入，包括： 将Ar、H、He、N、O、C、Si及B离子中的至少一种注入至每次形成的所述支撑层内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励