株式会社国际电气小川有人获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114342046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980099722.8，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权基板处理方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置是由小川有人;水野谦和;足谷笃彦;清野笃郎;高和康太设计研发完成，并于2019-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置在说明书摘要公布了：本发明能够形成具有膜连续性的膜。本发明具有：准备在表面形成了含金属膜的基板的工序和通过对于所述基板脉冲供给含卤气体从而对所述含金属膜进行减薄的工序。
本发明授权基板处理方法、半导体装置的制造方法、记录介质和基板处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基板处理方法，具有： 准备在表面上形成了具有连续性的金属氮化膜的基板的工序，和 通过对所述金属氮化膜不供给含氧气体而是对所述金属氮化膜脉冲供给含有金属和卤素的气体，从而对所述金属氮化膜进行减薄的工序， 所述含有金属和卤素的气体含有六氟化钨。
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