中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司郭炳容获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011017215.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种半导体器件的制作方法是由郭炳容;胡艳鹏;卢一泓设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件的制作方法，涉及半导体制造技术领域，以增加半导体器件的有源区的顶部宽度。该半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成图案化硬掩模层，图案化硬掩模层具有至少一个沟槽；以半导体材料填充至少一个沟槽，形成有源区。本发明提供的半导体器件的制作方法用于半导体器件制作。
本发明授权一种半导体器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上形成图案化硬掩模层，所述图案化硬掩模层具有至少一个沟槽和遮光部； 以半导体材料填充所述至少一个沟槽，去除沟槽以外的填充部，对沟槽内的填充部进行处理，形成有源区；其中，填充沟槽形成的有源区的顶部宽度大于或者等于设计尺寸； 形成有源区后，去除所述图案化硬掩模层的所述遮光部，释放出所述有源区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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