中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司郭炳容获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010718703.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法和电子设备是由郭炳容;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法和电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件及其制造方法和电子设备，涉及半导体技术领域，以解决刻蚀位线时会刻蚀帽层，使后续在位线周围形成的侧墙所占空间变大，散布变差，同时容易形成侧墙拖尾结构的问题。所述半导体器件包括：衬底，具有单元区域、外围区域以及位于单元区域和外围区域之间的隔断区域；帽层，帽层覆盖单元区域和隔断区域；位于单元区域的位线接触结构，位线接触结构贯穿帽层；位于单元区域的位线，位线形成在位线接触结构上；以及形成在位线接触结构与位线之间的侧墙成形控制层。所述半导体器件的制造方法用于制造半导体器件。本发明提供的半导体器件用于电子设备。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，具有单元区域、外围区域以及位于所述单元区域和外围区域之间的隔断区域； 帽层，所述帽层覆盖所述单元区域和所述隔断区域； 位于所述单元区域的位线接触结构，所述位线接触结构贯穿所述帽层； 位于所述单元区域的位线，所述位线形成在所述位线接触结构上； 以及，形成在所述位线接触结构与所述位线之间的侧墙成形控制层； 所述半导体器件还包括设在所述外围区域的栅堆叠；所述栅堆叠包括栅介质层和栅电极，所述栅介质层形成在所述衬底上；所述栅电极包括上栅电极和下栅电极；所述下栅电极形成在所述栅介质层上；所述上栅电极堆叠形成在所述下栅电极上；所述侧墙成形控制层与所述上栅电极由同一材料构成；所述侧墙成形控制层、所述上栅电极和所述下栅电极所含有的材料均为导电材料；所述导电材料为掺杂多晶硅； 所述位线与所述侧墙成形控制层的刻蚀选择比大于所述位线与所述帽层的刻蚀选择比；用于制作所述位线的材料与用于制作所述侧墙成形控制层的材料具有相似的金属特性。
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