中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司郭炳容获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948514B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010699778.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由郭炳容;杨涛;卢一泓;胡艳鹏设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于减小相邻存储接触部之间的寄生电容，提升半导体器件的驱动能力。所述半导体器件包括：基底、位线结构、存储接触部和隔离部。基底具有有源区。位线结构形成在基底上，且与有源区的其中一部分接触。存储接触部和隔离部形成在相邻两个位线结构之间。存储接触部与有源区的另一部分接触。隔离部用于隔离相邻两个存储接触部。隔离部所含有的材料包括低k材料。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提供的半导体器件。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 具有有源区的基底； 形成在所述基底上，且与所述有源区的其中一部分接触的位线结构； 形成在相邻两个所述位线结构之间的存储接触部和隔离部，所述存储接触部与所述有源区的另一部分接触，所述隔离部用于隔离相邻两个所述存储接触部，所述隔离部所含有的材料包括低k材料；所述低k材料的k值小于或等于2.8，且所述低k材料为BN、SiBN、SiCN中的一种或几种。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励