高通股份有限公司G·拉简德兰获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利用于带内载波聚合的接收器前端架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113644881B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110939282.1，技术领域涉及：H03F1/22；该发明授权用于带内载波聚合的接收器前端架构是由G·拉简德兰;G·S·萨霍塔;R·库马设计研发完成，并于2015-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于带内载波聚合的接收器前端架构在说明书摘要公布了：公开了一种用于带内载波聚合的接收器前端架构。在示例性实施例中，一种装置包括第一晶体管，第一晶体管具有接收输入信号的栅极端子、输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子。该装置还包括第二晶体管，第二晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的源极端子和连接至第一负载的漏极端子。该装置还包括第三晶体管，第三晶体管具有连接至第一晶体管的漏极端子的栅极端子、连接至第二负载的漏极端子和连接至信号地的源极端子。
本发明授权用于带内载波聚合的接收器前端架构在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，包括： 第一晶体管，具有被配置为接收输入信号的栅极端子、被配置为输出放大信号的漏极端子、以及通过源极退化电感器连接至信号地的源极端子； 第二晶体管，具有连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的源极端子和连接至第一信号路径的漏极端子；以及 第三晶体管，具有连接至所述第一晶体管的所述漏极端子的栅极端子、连接至第二信号路径的漏极端子和连接至所述信号地的源极端子， 其中，所述第三晶体管的所述漏极端子通过开关选择性地连接至所述第一信号路径。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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