台湾积体电路制造股份有限公司廖诗瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置和记忆体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224192413U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423246594.2，技术领域涉及：H10W20/42；该实用新型半导体装置和记忆体装置是由廖诗瑀;程仲良设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和记忆体装置在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供一种半导体装置，包括基板、形成在基板上的逻辑装置、设置在基板上方且具有连接至逻辑装置的金属布线的多个金属布线层，以及形成在金属布线层之间的多个可多次程序化非挥发性记忆体单元。可多次程序化非挥发性记忆体单元包括鳍式场效应晶体管，其中鳍式场效应晶体管具有鳍片结构、设置在鳍片结构的通道区域周围的存储栅极、形成在存储栅极的第一侧壁周围且连接至第一字元线的第一控制栅极以及形成在存储栅极的第二侧壁周围且连接至第二字元线的第二控制栅极。
本实用新型半导体装置和记忆体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一基板，具有一逻辑装置形成在该基板上； 多个金属布线层，设置在该基板上方且具有连接至该逻辑装置的金属布线；以及 多个可多次程序化非挥发性记忆体单元，形成在所述多个金属布线层之间，所述多个可多次程序化非挥发性记忆体单元包括一鳍式场效应晶体管，该鳍式场效应晶体管具有一鳍片结构、设置在该鳍片结构的通道区域周围的一存储栅极、形成在该存储栅极的一第一侧壁周围且连接至一第一字元线的一第一控制栅极以及形成在该存储栅极的一第二侧壁周围且连接至一第二字元线的一第二控制栅极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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