喆富创新科技股份有限公司梁伟成获国家专利权
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龙图腾网获悉喆富创新科技股份有限公司申请的专利垂直式接面场效电晶体获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224192337U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520782893.3，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型垂直式接面场效电晶体是由梁伟成;吴甄惠;梁维真设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直式接面场效电晶体在说明书摘要公布了：一种垂直式接面场效电晶体，包括：第一掺杂半导体结构；第二掺杂半导体结构，包括层体及凸柱凸设于层体，第二掺杂半导体结构的掺杂类型与第一掺杂半导体结构的掺杂类型相同；及第三掺杂半导体结构，设置于凸柱的两侧，并设置在层体上，第三掺杂半导体结构的掺杂类型与第一掺杂半导体结构的掺杂类型不同；其中，凸柱的厚度大于15微米且小于等于50微米。
本实用新型垂直式接面场效电晶体在权利要求书中公布了：1.一种垂直式接面场效电晶体，包括： 第一掺杂半导体结构； 第二掺杂半导体结构，包括层体及凸柱凸设于该层体，该第二掺杂半导体结构的掺杂类型与该第一掺杂半导体结构的掺杂类型相同；及 第三掺杂半导体结构，设置于该凸柱的两侧，并设置在该层体上，该第三掺杂半导体结构的掺杂类型与该第一掺杂半导体结构的掺杂类型不同； 其中，该凸柱的厚度大于15微米且小于等于50微米。
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