台湾积体电路制造股份有限公司苏淑慧获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利沟槽电容器结构以及半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224192335U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520006481.0，技术领域涉及：H10D1/60；该实用新型沟槽电容器结构以及半导体装置是由苏淑慧;郑新立;徐英杰设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽电容器结构以及半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种包括沟槽电容器结构的半导体装置及其形成方法。使用包含使用导电侧壁层的多电极连接，内连线结构可以与沟槽电容器结构的多个垂直排列的电极层连接。与利用单一电极层连接相比，利用多个垂直排列的电极层连接可以增加用于内连线结构的连接垫的有效厚度。增加的有效厚度可以降低在沟槽电容器结构的金属结构中产生垂直内连线存取诱发金属岛腐蚀缺陷的可能性。
本实用新型沟槽电容器结构以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种沟槽电容器结构，其特征在于，包括： 第一导电层； 介电层，于所述第一导电层上； 第二导电层，于所述介电层上，具有位于所述第一导电层的部分上方的间隙区； 第三导电层，包括位于所述间隙区的部分； 内连线结构，穿过所述第三导电层在所述间隙区的所述部分、穿过所述介电层并进入所述第一导电层；以及 侧壁层，围绕所述内连线结构并穿过所述第三导电层在所述间隙区的所述部分、穿过所述介电层并进入所述第一导电层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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