成都正扬博创电子技术有限公司邓辉获国家专利权
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龙图腾网获悉成都正扬博创电子技术有限公司申请的专利一种稳定光耦发射端电流的电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224191922U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521000884.0，技术领域涉及：H03K17/78；该实用新型一种稳定光耦发射端电流的电路是由邓辉;吴伟设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种稳定光耦发射端电流的电路在说明书摘要公布了：本实用新型涉及光耦电路技术领域，尤其涉及一种稳定光耦发射端电流的电路，包括光耦，所述光耦的发射端连接有稳流电路，所述稳流电路包括MOS管、分压电阻和限流电阻；MOS管的源极与输入信号的正极连接，输入信号的正极通过一个限流电阻与光耦发射端的正极连接；MOS管的漏极与光耦发射端的负极连接后再连接一个限流电阻；MOS管栅极连接在两个分压电阻之间，两个分压电阻连接在输入信号的正极和负极上；当输入信号的电压超过一定电压值后，MOS管导通分流，使光耦发射端电流稳定在一定范围内。本实用新型通过MOS管与电阻，实现了光耦发射端电流的主动稳定，结合理论推导与参数优化，在宽输入电压范围内有效抑制电流波动，提升了系统的可靠性和寿命。
本实用新型一种稳定光耦发射端电流的电路在权利要求书中公布了：1.一种稳定光耦发射端电流的电路，包括光耦，其特征在于，所述光耦的发射端连接有稳流电路，所述稳流电路包括MOS管、分压电阻和限流电阻；MOS管的源极与输入信号的正极连接，输入信号的正极通过一个限流电阻与光耦发射端的正极连接；MOS管的漏极与光耦发射端的负极连接后再连接一个限流电阻；MOS管栅极连接在两个分压电阻之间，两个分压电阻连接在输入信号的正极和负极上；当输入信号的电压超过一定电压值后，MOS管导通分流，稳定光耦发射端电流。
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