买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉浙江固本精密技术有限公司申请的专利碳化硅半导体聚焦环自适应磨削控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121798512B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610293577.9，技术领域涉及：B24B51/00；该发明授权碳化硅半导体聚焦环自适应磨削控制方法及系统是由徐晓剑;吴春宇;徐雄江;黄徐丹;孙樑设计研发完成，并于2026-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体聚焦环自适应磨削控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于晶格矢量映射的碳化硅半导体聚焦环自适应磨削控制方法及系统，属于半导体制造设备控制技术领域。本发明旨在解决碳化硅材料因晶格各向异性及断续切削导致的边缘崩损与表面质量不均问题。该方法通过融合视觉几何数据与X射线晶格角度数据，建立复合坐标系并计算相位偏差；基于晶体对称性构建全圆周磨削阻力模型，生成随角度动态变化的变速插补指令；针对Notch缺口执行进给倍率重写与矢量微偏转的软着陆策略。本发明实现了基于物理机理的确定性前馈控制，有效消除了表面加工纹理差异，显著降低了缺口崩边率。

本发明授权碳化硅半导体聚焦环自适应磨削控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.碳化硅半导体聚焦环自适应磨削控制方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：构建几何-晶格复合坐标系；通过视觉监测系统获取碳化硅聚焦环的几何缺口位置数据，建立物理坐标系；通过X射线定向装置获取所述碳化硅聚焦环的晶格生长主轴方向数据，建立晶格坐标系；计算所述几何缺口位置与所述晶格生长主轴方向之间的相位偏差角； 步骤S2：生成各向异性材料去除模型；基于所述相位偏差角以及碳化硅材料的晶格对称性特征，构建随圆周角度变化的等效磨削阻力模型；所述等效磨削阻力模型的计算公式如下： 其中，θ为当前的圆周旋转角度，为基准材料去除阻力，为材料各向异性系数，n为晶格对称系数，为所述相位偏差角; 步骤S3：生成变参数插补指令；根据所述等效磨削阻力模型，计算全圆周磨削路径上每一个角度位置对应的目标磨削参数，生成包含动态主轴转速和动态进给速度的加工代码；所述动态进给速度与所述等效磨削阻力模型呈负相关关系； 步骤S4：执行自适应磨削；控制数控磨床的执行机构运行所述加工代码，在磨削点处于顺晶向区域时提高磨削效率，在磨削点处于逆晶向或解理面区域时降低磨削冲击。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江固本精密技术有限公司，其通讯地址为：314500 浙江省嘉兴市桐乡市凤鸣街道同仁路788号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。