现象创新(深圳)科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉现象创新(深圳)科技有限公司申请的专利空穴传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、用电装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121772584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610257149.0，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权空穴传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、用电装置是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2026-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本空穴传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、用电装置在说明书摘要公布了：本申请公开了空穴传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、用电装置，属于太阳能电池技术领域。本申请通过采用沸点为200℃‑300℃的第一溶剂和沸点为55℃‑85℃的醇类溶剂作为空穴传输层前驱体溶液的复合溶剂调节溶剂挥发速率和SAM膜层状态，并施加特定方向和强度的电场促使SAM分子定向排列，可以自上而下地调控SAM分子的取向，提高空穴传输层的连续性和均匀性，有效提高SAM分子对基底的覆盖率，提升器件光电转换效率，并有利于实现大面积组件制备的一致性。
本发明授权空穴传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池、用电装置在权利要求书中公布了：1.一种空穴传输层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 将含有自组装单分子层材料和复合溶剂的空穴传输层前驱体溶液涂覆于基底上，并制备成溶剂含量为99wt%-99.98wt%的自组装单分子层半干膜；所述复合溶剂包括沸点为200℃-300℃的第一溶剂和沸点为55℃-85℃的醇类溶剂； 将所述自组装单分子层半干膜置于电场中进行电场处理，制备经电场处理后的自组装单分子层薄膜；所述电场的方向与所述基底相互垂直并沿所述自组装单分子层半干膜背离所述基底的方向延伸；所述电场的强度为1×105Vm-5×105Vm； 将所述经电场处理后的自组装单分子层薄膜去除溶剂并退火，形成所述空穴传输层。
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