华芯程(杭州)科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉华芯程(杭州)科技有限公司申请的专利光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121522971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610052924.9,技术领域涉及:G03F7/20;该发明授权光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2026-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备在说明书摘要公布了:本申请公开了一种光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备,其中,该光学邻近效应校正方法包括获取集成电路版图,并将集成电路版图切分为多条独立线段;对每条独立线段进行预设次数的迭代循环,在每次迭代中,基于每条独立线段的边缘放置误差计算第一移动量并调整独立线段;在完成迭代循环后,从全部独立线段中识别对成像对数斜率敏感的重要图形线段;基于第一移动量确定使重要图形线段的成像对数斜率最大化的第二移动量;根据第二移动量对重要图形线段进行调整,并对调整后的全部独立线段进行光学邻近效应校正,生成最终校正版图。本申请可以提高集成电路版图的设计效率。
本发明授权光学邻近效应校正方法、装置、存储介质及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种光学邻近效应校正方法,其特征在于,包括: 获取集成电路版图,并将所述集成电路版图切分为多条独立线段; 对每条所述独立线段进行预设次数的迭代循环,在每次迭代中,基于每条所述独立线段的边缘放置误差计算第一移动量并调整所述独立线段; 在完成所述迭代循环后,从全部所述独立线段中识别对成像对数斜率敏感的重要图形线段; 根据所述第一移动量和容忍度系数计算移动容忍范围; 在所述移动容忍范围内搜索使所述重要图形线段的成像对数斜率最大化的第二移动量; 根据所述第二移动量对所述重要图形线段进行调整,并保持除所述重要图形线段之外的其他独立线段在完成所述迭代循环后的位置不变,然后对调整后的全部所述独立线段进行光学邻近效应校正,生成最终校正版图。
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