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龙图腾网获悉上海壁仞科技股份有限公司申请的专利接收信号采样装置和芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121486141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-05-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610012398.3，技术领域涉及：H04L25/03；该发明授权接收信号采样装置和芯片是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2026-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本接收信号采样装置和芯片在说明书摘要公布了：本公开涉及一种接收信号采样装置和芯片，该接收信号采样装置包括：判决反馈均衡模块，包括第一电流调节阵列电路，用于接收至少一个反馈抵消信号、权重强度控制信号，根据至少一个反馈抵消信号产生判决反馈均衡调节信号，根据权重强度控制信号通过第一电流调节阵列电路控制判决反馈均衡调节信号的强度；动态比较模块，耦接于判决反馈均衡模块，用于接收差分输入信号和判决反馈均衡调节信号，根据差分输入信号和判决反馈均衡调节信号产生比较再生信号；锁存模块，耦接于动态比较模块，用于接收比较再生信号，根据比较再生信号产生判决输出信号。本公开有助于实现接收信号采样装置的高集成度和面积小型化的目的。

本发明授权接收信号采样装置和芯片在权利要求书中公布了：1.一种接收信号采样装置，其特征在于，包括： 判决反馈均衡模块，包括第一电流调节阵列电路，所述判决反馈均衡模块用于接收至少一个反馈抵消信号、权重强度控制信号，根据所述至少一个反馈抵消信号产生判决反馈均衡调节信号，并根据所述权重强度控制信号通过所述第一电流调节阵列电路控制所述判决反馈均衡调节信号的强度； 动态比较模块，耦接于所述判决反馈均衡模块，用于接收差分输入信号和所述判决反馈均衡调节信号，根据所述差分输入信号和所述判决反馈均衡调节信号产生比较再生信号； 锁存模块，耦接于所述动态比较模块，用于接收所述比较再生信号，根据所述比较再生信号产生判决输出信号； 其中，所述权重强度控制信号为2比特信号，所述第一电流调节阵列电路包括： 第一权重控制非门，所述第一权重控制非门的输入端接收所述权重强度控制信号的一个比特位信号； 第二权重控制非门，所述第二权重控制非门的输入端接收所述权重强度控制信号的另一个比特位信号； 权重控制与非门，所述权重控制与非门的第一输入端耦接于所述第一权重控制非门的输出端，所述权重控制与非门的第二输入端耦接于所述第二权重控制非门的输出端； 第三权重控制非门，所述第三权重控制非门的输入端耦接于所述第二权重控制非门的输出端； 权重控制或非门，所述权重控制或非门的第一输入端和第二输入端均耦接于所述第二权重控制非门的输出端； 第四权重控制非门，所述第四权重控制非门的输入端耦接于所述权重控制与非门的输出端； 第五权重控制非门，所述第五权重控制非门的输入端耦接于所述第三权重控制非门的输出端； 第六权重控制非门，所述第六权重控制非门的输入端耦接于所述权重控制或非门的输出端； 第一权重控制晶体管，所述第一权重控制晶体管的第一端耦接于电源电压，所述第一权重控制晶体管的控制端接收反相采样时钟信号； 第二权重控制晶体管，所述第二权重控制晶体管的第一端耦接于电源电压，所述第二权重控制晶体管的控制端接收所述反相采样时钟信号； 第三权重控制晶体管，所述第三权重控制晶体管的第一端耦接于电源电压，所述第三权重控制晶体管的控制端接收所述反相采样时钟信号； 第四权重控制晶体管，所述第四权重控制晶体管的第一端耦接于所述第一权重控制晶体管的第二端，所述第四权重控制晶体管的控制端耦接于所述第四权重控制非门； 第五权重控制晶体管，所述第五权重控制晶体管的第一端耦接于所述第二权重控制晶体管的第二端，所述第五权重控制晶体管的控制端耦接于所述第五权重控制非门； 第六权重控制晶体管，所述第六权重控制晶体管的第一端耦接于所述第三权重控制晶体管的第二端，所述第六权重控制晶体管的控制端耦接于所述第六权重控制非门； 所述第五权重控制晶体管的第二端和所述第六权重控制晶体管的第二端耦接于所述第四权重控制晶体管的第二端，产生温度计码形式的所述权重强度控制信号。

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